I. - Această zonă de lucru. La un nivel scăzut (NU) la intrarea în ieșire, un nivel ridicat (VU). Cu o creștere suplimentară a tensiunii UX. tensiunea UA este mărită, iar atunci când ajunge la 1,5 V, VT2 este ușor deschisă. Ca o consecință, un curent apare peste rezistența R2. Tranzistorul VT3 este încă deschis. Căderea de tensiune pe R2 (UR2) crește. Aceasta implică o scădere a UY. care este marcat de o scădere a UBY în regiunea II.
II. Această zonă lucrează, de asemenea, dar nu este de dorit să intrăm în ea, deoarece crește imunitatea la zgomot. Producătorul fabricii recomandă 0,8 V.
III. - Domeniu dinamic. Cu o creștere suplimentară a tensiunii UX, deblocarea VT2 și VT4 și UBOW scade la un nivel scăzut.
IV. - Zona statică. Tensiunea UX = BY. VT4 este în saturație, tensiunea este UY = NU. Granița este de aproximativ 2 V. Producătorul fabricii recomandă 2,4 V.
În microcircuite moderne, pentru a evita imunitatea de interferență în regiunea II în loc de R3, utilizați un tranzistor suplimentar VT5, care este paralel cu VT4. Aceste tranzistoare se deschid simultan. Astfel, chiar și cu deschiderea VT2, nu există nici un curent prin R2, deoarece nu există nici un circuit pentru ca acest curent să curgă.
I - OU la intrare. Odată cu creșterea tensiunii de intrare, IBX scade, pe măsură ce UA crește. Prin urmare, IR1 scade. Panta caracteristică este determinată de valoarea lui R1. Când UBX ajunge la U [1.3, 1.6], tranzistorul va intra în modul invers și IR1 curent va trece la baza VT2, de aceea IBX va scădea rapid (regiunea II).
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: