Principalele direcții de cercetare ale laboratorului de electronice cu microunde semiconductoare:
1) Creșterea și dopajul structurilor multistrat de tip Si: Er / Si și Gex Si1-x / Si prin metoda epitaxiei cu fascicul molecular cu sublimare
Personalul Laboratorului de Electronică cu Semiconductor cu Microunde
Proiectele științifice principale ale laboratorului de electronice cu microunde pentru semiconductoare
Formarea și investigarea nanostructurilor epitaxiale multistrat cu joncțiune p-n bazată pe Si, Si: Er și Gex Si1-x pentru generarea și detectarea radiațiilor optice cu o lungime de undă de 1,54 μm
"Dezvoltarea unui generator de zgomot semiconductor de măsurare în gama de frecvențe 3-50 GHz", "Spectrum-GSH"
Echipamente de laborator electronice de semiconductori cu microunde
Instalarea depunerilor metalice UVN-2M
În prezent, se modernizează sistemul de pompare al centralei. Pompa de difuzie a uleiului de abur este înlocuită cu o pompă turbomoleculară fără ulei. Modernizarea va crește reproductibilitatea și calitatea contactelor metalice la structurile semiconductoare.
Instalarea epitaxei de sublimare USE-1 (dezvoltată și fabricată în NIFTI UNN)
Instalarea destinată pentru cultivarea structurilor semiconductoare multistrat prin epitaxie sublimare fascicul molecular, în care fluxul de atomi de siliciu și dopant este format prin evaporare din cauza sublimare dreptunghiulare plachete de siliciu tăiate din lingourile de siliciu monocristalin dopat cu o impuritate predeterminată. Cultivarea straturilor epitaxiale pe substraturi realizate din plăci profilate dreptunghiulare, încălzite prin trecerea curentului electric. În instalație există două surse și un substrat, cruci încrucișate.
Metoda de epitaxie de sublimare este caracterizată prin următoarele avantaje principale:
- Hraneste atomi de siliciu și dopants de la sursa sublimate mai aproape de monoatomic decât prin evaporare folosind un tun de electroni sau celula de efuziune, care reduce densitatea defectelor fibrelor și are un efect pozitiv asupra întregului proces de creștere epitaxială. Datorită acestei temperaturi autoepitaxial minim strat de siliciu de creștere sub sursa de evaporare de sublimare decât atunci când evaporarea fascicul de electroni de siliciu.
- formarea unui flux de atomi de siliciu cu o intensitate suficient de mare, oferind o rată de creștere până la
5 μm / h și, în același timp, dopajul scăzut în fundal al stratului de creștere (≤ 2 × 10 13 cm -3) este asigurat prin minimizarea încălzirii suporturilor suportului sursei de siliciu;
- alierea straturilor Si cu o gamă largă de impurități (B, Al, Ga, Sb, As, P) într-un domeniu larg (de la 2 × 10 13 la 1 × 10 20 cm -3) prin evaporarea impurității din sursa de sublimare. Acest tip de dopaj nu necesită utilizarea de surse speciale separate de sursa fluxului de siliciu. Mai mult, fluxul dopantului din sursa de sublimare este format din staționare ridicată, care este foarte importantă pentru dopajul reproductibil în timpul procesului lung de creștere a structurilor.
Instalarea epitaxei de sublimare USE-2 (dezvoltată și fabricată în NIFTI UNN)
USE-2, cum ar fi USE-1, este proiectat pentru a dezvolta structuri semiconductoare multistrat prin epitaxia de fază moleculară sublimată. O caracteristică distinctivă a USE-2 este că are trei surse fixe și un substrat mobil. Sursele și substratul sunt aranjate în paralel. Substratul poate fi instalat secvențial opus oricărei din cele trei surse, ceea ce face posibilă obținerea unor structuri multistrat cu un număr nelimitat de straturi.
În prezent, se modernizează sistemul de pompare al centralei. Pompa de difuzie a uleiului de abur este înlocuită cu o pompă turbomoleculară fără ulei, iar pompa de vid în vid este fără ulei. Modernizarea va reduce numărul de defecte în structurile semiconductoare în creștere.
Brevetele laboratorului de semiconductori pentru electronica cu microunde
603950, Nizhny Novgorod, prosp. Gagarina, 23, clădirea 3
Tel. +7 (831) 462-31-20, fax +7 (831) 462-31-36
Institutul Fizico-Tehnic de Cercetare al Universității de Stat din Nizhny Novgorod. NI Lobachevsky
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: