Strat epuizat
Stratul epuizat (0 5 - 30 mm), care apare pe suprafață ca urmare a tratamentului termic al părții la temperaturi ridicate, are o rezistență la căldură mai redusă, rezistență la căldură și rezistență la căldură și trebuie îndepărtat. [1]
Stratul epuizat este creat în diverse moduri: prin depunerea directă a unui film piezo-semiconductor cu rezistență ridicată pe o linie de sunet, prin difuzie și altele. În fiecare caz, convertorul constă dintr-un strat foarte rezistent de piezosemiconductor cu rezistivitate ridicată pe suprafața unui electrod de bază cu rezistență scăzută. [2]
Stratul epuizat în condiții de echilibru în semiconductori cu o concentrație foarte mică de impurități este de obicei mic, dar este mai gros decât stratul invers. Stratul epuizat corespunde unei modificări liniare a intensității câmpului (deoarece potențialul variază în parabolă) și aproximativ o valoare constantă a densității sarcinii spațiale. În cele din urmă, regiunea cvasi-neutră se extinde nerestricționat la volumul semiconductorului, dar efectul său este mic și adesea nu este luat în considerare. [3]
Straturi epuizate. în apropierea joncțiunii pn, sunt reumpleți de către purtătorii de sarcină principali. Rezistența joncțiunii pn scade, bariera potențială scade. [4]
Stratul epuizat apare nu numai atunci când produsele sunt folosite, ci și în timpul tratamentului termic. [5]
Straturile epuizate 5 și 6 limitează grosimea stratului 4, care formează un canal care leagă regiunile sursă și scurgere. Canalul 4 este conectat la circuitul de ieșire folosind bornele Я și С, iar tensiunea inversă a bateriei Ея și tensiunea semnalului amplificat UBX sunt aplicate la joncțiunea de control pn. Secțiunea transversală efectivă a canalului 4, de-a lungul căreia electronii trec de la sursă la scurgere, depinde de grosimea stratului de epuizare al joncțiunii de control pn, deoarece electronii nu pot pătrunde în acest strat. Deoarece grosimea stratului de barieră, la rândul său, depinde de tensiunea la joncțiunea pn, secțiunea transversală a canalului deschis pentru electroni și, prin urmare, rezistența sa electrică, este controlată de tensiunea semnalului amplificat. [6]
Dacă stratul epuizat constă dintr-un semiconductor dopat (de obicei, un strat l sau un v), atunci poate fi creată o încărcătură de donator ionizat în avans; sau acceptori, opuși în semn cu sarcina purtătorilor în mișcare. [7]
Lățimea stratului de epuizare este legată de diferența de potențial de contact, care, la rândul său, depinde de alegerea materialelor și de concentrația de impurități. [8]
O parte din stratul epuizat de grosime L0 p este localizat în regiunea p (figura 2.2, a) și conține o sarcină negativă a ionilor acceptori. O altă parte a grosimii Lo6n se află în regiunea n, în care este concentrată sarcina pozitivă a ionilor donatori. [9]
Formarea unui strat epuizat este cauzată de repulzarea purtătorilor principali ai substratului, electroni, de pe suprafață. [10]
Prezența unui strat epuizat nu duce neapărat la apariția unui contact de rectificare. Tunelul poate juca un rol important în cazul contactelor ohmice din aluminiu cu siliciu. În practică, siliciul cu un grad ridicat de dopaj este utilizat pentru a forma contacte ohmice. Efectuarea unor astfel de studii este complicată de o serie de dificultăți. [12]
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: