Noile tranzistoare FET Linear OptiMOS ™ combină rezistența scăzută în R DS (on) și în zona extinsă de siguranță
Infineon Technologies a lansat o nouă serie de tranzistoare Linear FET OptiMOS ™. Noua familie combină cea mai bună rezistență din clasă cu starea de pornire (RDS (on)), cum ar fi MOSFET-ul de trecere și zona de lucru în siguranță, inerentă planului MOSFET. Noile tranzistoare reprezintă o combinație între R DS (low) și capacitatea tranzistorului MOSFET de a funcționa într-un mod liniar. OptiMOS ™ Linear FET poate funcționa în regiunea de saturație a MOSFET cu modul de îmbogățire a canalelor.
Aceasta este o soluție excelentă pentru dispozitivele cu comutare la cald, siguranțele electronice și aplicațiile de protecție utilizate în mod obișnuit în sistemele de telecomunicații și de gestionare a bateriilor (BMS).
În plus, un mod liniar stabil de funcționare și un curent de puls mai mare permit reducerea pierderilor de comutare, accelerarea începerii lucrului și scurtarea timpului de oprire a echipamentului. OptiMOS tranzistoarele Linear FET previne defecțiunile de scurtcircuit în sarcină, datorită limitării curenților de aprindere.
Comparând zona de lucru sigură:
Rezistența în starea de pornire este mai mică cu 58%, comparativ cu cea mai apropiată alternativă:
Gama de tranzistoare Linear FET OptiMOS ™ cu tensiuni de operare de 100, 150 și 200V
Trimiteți-le prietenilor: