un semiconductor care conține simultan donatori și acceptori. Alonii donați de donatori sunt capturați de acceptori, ceea ce duce la o scădere a concentrației transportatorilor de încărcare mobilă n. HA
prezența chiar și o concentrație mică de impurități de compensare (în anumite condiții) permite să se controleze concentrația dependență de magnitudine și temperatură DOS. purtători. Pentru n-semiconductor de tip este compensată de acceptori (N d >> Na, unde concentrația de donor ND, Na- concentrație acceptor), concentrația de nou-e în banda de conducție este descrisă de formula:
Aici T mdash; abs. temperatură, Nc eff. densitatea stărilor din banda de conducere, I este energia de ionizare a donatorului, g0 și g1 sunt statistice. greutatea nivelelor donatoare goale și umplute. La temperatură suficient de ridicată, când
(Nd-Na) n1 / (Na + n1) 2 <<1 и n1>> Na; n = Nd-Na. La temp low-pax, când n1< (2) rezultă că concentrația acceptori compensatoare este puternic influențată de concentrația de noi e-conductibilitate si se poate schimba de multe comenzi. Aceasta înseamnă că introducerea impurităților adecvate poate schimba electricitatea. Opt. și altele. • A se vedea lit. la art. Semiconductoare.
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: