Curent electric în semiconductori. Există o clasă specială de corpuri cristaline care nu sunt la fel de bune conductori ca și metalele, dar ele nu sunt la fel de bune izolatoare ca dielectricii.
Aceste substanțe au proprietăți fizice speciale. Ei au studiat în detaliu [link]
Rezistența scade odată cu creșterea iluminării. Această dependență este utilizată în fotorezistoare.
Când sunt introduse impurități de valență diferită, rezistivitatea scade în semiconductori, deoarece numărul de operatori de transport gratuit crește.
2. Structura semiconductorilor.
În semiconductori, atomii sunt legați prin legături covalente (perechii electronice), care sunt puternice la temperaturi scăzute și iluminare. Cu temperatură și iluminare crescătoare, aceste legături se pot prăbuși, formând un electron liber și o "gaură".
Reprezentanții tipici ai semiconductorilor sunt germaniul și siliciul.
Particulele reale sunt numai electronii (e). Conductivitatea electronică se datorează mișcării electronilor liberi. Conductivitatea gaura cauzată de mișcarea de electroni legați care trec de la un atom la altul, înlocuind alternativ reciproc, ceea ce este echivalent cu mișcare „găuri“ în direcția opusă. "Hole" atribuită condiționată "+" taxă.
În semiconductoare pure, concentrația de electroni liberi și "găuri" este aceeași. Electron gaura de conductivitate - conductivitate determinată de formarea de purtători de sarcină liberi (electroni și „gaură“) formate la legături covalente ruptură numite conductivitate intrinsecă.
Conductibilitatea impurităților - conductivitatea, cauzată de formarea de purtători de sarcină liberi atunci când se introduc impurități de o altă valență (n).
Rezistența (p) scade, dacă t 0 - crește. Această dependență este folosită în termistorii de indiu din germaniu
n impurități> n semiconductori
Arsenic în germaniu
n aprox. = 5; n n / прово-к = 4
Fiecare atom de impuritate este introdus de un electron liber
n impurități India în Germania n aprox. = 3; n n / прово-к = 4 Fiecare atom de impuritate captează un electron din semiconductorul principal, creând o gaură suplimentară Semiconductori de tip n cu impurități donatoare Semiconductori de tip p cu impurități acceptoare Principalii purtători de sarcină Principalii purtători de sarcină Nu sunt principalii operatori de transport Nu sunt principalii operatori de transport Mecanismul de formare a purtătorilor de sarcină liber conductivitatea de semiconductori este împărțit în propria sa și impuritate. Prin forma principalelor taxe de transport sunt împărțiți în: electronice. gaura. electron-gol. Curentul de tensiune caracteristic unei diode semiconductoare în contact 1. Se formează un câmp electric de contact ca urmare a difuziei electronilor într-un semiconductor de tip p și a găurilor unui semiconductor de tip n. Este creat un strat de barieră pentru purtătorii principali de încărcare. Conductivitatea unilaterală a joncțiunii pn Cu această includere (Fig. 2) p-n-tranziție externă intensitatea câmpului electric slăbește k. Îmbogățește stratul limită și principalii purtători furnizează curent forță considerabilă numit direct și datorită mișcării purtătorilor majoritari. Când inversorul este pornit, acesta întărește k. Stratul delimitator este epuizat de către suporturile principale de încărcare. Un curent foarte scăzut se datorează mișcării purtătorilor de sarcină care nu sunt principali prin joncțiunea p-n, care sunt foarte mici. Conductivitatea intrinsecă a semiconductorilor este mică, dar în prezența impurităților, conducerea impurităților are loc împreună cu conductivitatea intrinsecă. Această caracteristică a semiconductorilor deschide posibilități largi de aplicare a acestora în industria radiocomunicațiilor electronice. § 3.21. Exemple de rezolvare a problemelor, p. 329 Ce purtători de încărcătură electrică pot crea un curent în conductorii de metal? Cum se schimbă rezistența semiconductorilor cu creșterea temperaturii? Planul-rezumat al lecției în matematică (gradul 3) pe tema "aria figurilor geometrice Schița lecției în lectură (clasa I) cu privire la lecția lecției de literație (lectură),
Contactul semiconductorilor de tip p și n.
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: