Modificarea iodurii de cupru. rezistent la temperaturi sub 420 ° C, are, de asemenea, o conductivitate mixtă. Unele oxizi metalici diferă în conductivitatea electronică mixtă ionică. De exemplu, în aer la 1000-1500 ° C, în aproximativ 15% din curentul de oxid de magneziu, iar aproximativ 60% dintre electronii sunt transferați în oxid de calciu. [C.129]
Din aceste experimente se poate vedea clar că introducerea oxidului de cobalt în oxid. având conductivitatea gaurii. aditivii cu conductivitate electronică (AbO3) conduc la o scădere a randamentului de N0, se poate presupune că conductivitatea gaură a catalizatorului mixt scade [1]. [C.240]
În general, conductivitatea electrică a semiconductorilor este determinată de concentrația electronilor și a găurilor în cazul în care conductivitatea este amestecată. Concentrațiile electronilor liberi în banda de conducție și găurile din banda de valență sunt legate de nivelul Fermi, a cărui locație de-a lungul adâncimii semiconductorului nu poate fi aceeași datorită curburii benzilor. Prin urmare, conductivitatea electrică de-a lungul adâncimii semiconductorului poate fi diferită. [C.286]
Împreună cu topiturile individuale, amestecurile de săruri topite pot fi utilizate ca electrolit. Se constată că conductivitatea electrică a aditivului amestecat în topitură nu se supune regulii chiar și în cazul în care componentele nu interacționează unele cu altele. [C.36]
În sistemele binare. unde cel puțin una dintre componente este o substanță protogenică, se pare că predomină conductivitatea unui tip mixt. Forma izotermelor este determinată de fracțiunea mecanismului ionic. Dacă acesta din urmă este nesemnificativ, atunci izotermele x și mergeți antibatno (Figura XXVI.23, d). Un exemplu este izotermul din sistemul 1 2804-CHDSOOI. Dacă acțiunea mecanismului ionic este mai mult sau mai puțin semnificativă, izotermele x și vor fi localizate simpatic. în care în izoterma mai mare va repeta izotermă accident vascular cerebral x, cu atât mai mare contribuția mecanismului de transport curent ionic. [C.406]
Aditiv semiconductor de tip (AOZ) la p-semiconductor (S03O4) conduce UQ ieșire reducerea k care este aparent datorită conductivității gaura umenscheniem catalizatorilor mixte. [C.240]
Curs de Chimie Fizică Volumul 2 Numărul 2 (1973) - [c.426]
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: