Mastile ROM sunt bazate pe diode, tranzistoare bipolare si MIS.
Diodele diode ROM incluse în aceste intersecții ZPM, care corespund intrările 1, și în locuri în care nu ar trebui să fie scrise 0, ele nu există. diode exceptia intersecțiilor respective PAZ se realizează prin faptul că ultima etapă de fabricare a unui film de metal conductor care se conectează catodul diodei la o linie de biți, nu este produsă. Forma diodei ZnM este prezentată în figura 16.9, a. Din moment ce matricea diodelor este un element cu legături galvanice, ieșirea
36. Programare pzu
Structura EPROM BIS este similară cu structura LZI MZZU și diferă doar sub forma EP. Elementele memoriei PROM sunt diode sau tranzistoare cu mai multe emițătoare (MET).
Programarea PROM se realizează straturi subțiri de epuizare (ris.16.11, o, r), sau defalcare electrică a p-n joncțiune (ris.16.11,6) sau diode Schottky (ris.16.11, c). Filmele subțiri de nicrom sau siliciu policristalin sunt utilizate ca poduri fuzibile.
Curentul de aprindere este 50. 100 mA. În același timp, densitatea curentului din pod ajunge la 10 7 A / cm 2, ceea ce duce la distrugerea acestuia. defalcare electrică a p-n joncțiune sau diode Schottky făcut cerere la perechea de diode de tensiune înaltă vstrechnovklyuchennyh (puls), care este una dintre ele inversat.
Procesul de programare se realizează cu ajutorul unui dispozitiv special - programatorul și constă în alimentarea semnalelor electrice către ieșirile EPROM externe corespunzătoare.
Curentul de programare necesar este furnizat pentru a crește tensiunea aplicată la cip EPROM 20, 12. B. Pentru a disipa puterea alocată pentru programarea necesară creșterea dimensiunilor EPO, ceea ce conduce la degradarea performanței datorită creșterii capacitances parazite și scăderea coeficientului de integrare. Factorul de integrare este de asemenea redus datorită creării pe cip a EPROM-ului LSI al circuitelor electronice pentru formarea curenților de programare, care sunt folosiți o singură dată în timpul programării și nu sunt necesare în continuare. Pe ris.16.12 arată ASB programabil electric (arsuri) Capacitatea K155REZ ROM de 256 de biți cu 32x8 organizație, fragment (porțiune) a diagramelor de circuit și temporizare ale modului de programare.
Trimiteți-le prietenilor: