Dependența spectrală a fotoconductivității este determinată de spectrul de absorbție al semiconductorului. Regiunea de absorbție intrinsecă are o lungime de lungime de undă (roșu) care corespunde lungimii de undă a luminii # 955; prag = hc / # 916; W (figurile 2 și 3).
Cu creșterea energiei fotonice # 955; <λпорог фотопроводимость резко увеличивается, достигает максимума, а затем уменьшается (синяя граница фотопроводимости). В районе синей границы весь световой поток поглощается в приповерхностном слое полупроводника, при этом за счет поверхностной рекомбинации время жизни τ носителей заряда резко уменьшается.
Deoarece materiale diferite bandgap semiconductor are o lățime de câteva zecimi de electron volt la două trei electron-volți, fotoconductie poate fi detectată în (# 955; = 0,40 ÷ 0,76 mm) infraroșii, vizibile sau regiunile în ultraviolet ale spectrului electromagnetic.
Marginea de undă lungă a fotoconductivitatii poate fi determinată de lățimea benzii interzise a semiconductorului. Din fig. 2 că lungimea de undă de prag pentru germaniu # 955; prag = 1,8 μm și se află în regiunea infraroșie a spectrului. Prin urmare, lățimea benzii interzise pentru germaniu W = hc / # 955; prag = 0,72 eV. Bandgap lățime de siliciu W = 1,12 eV și lungimea de undă a pragului Pragul = 1,15 μm, de asemenea, se află în regiunea infraroșie a spectrului.
Regiunile de absorbție a impurităților se află în regiunea de lungime (în infraroșu) a spectrului. Impactul fotoconductivității este de obicei mult mai mic decât fotoconductivitatea intrinsecă. concentrația atomilor de impurități este de multe ordine de mărime mai mică decât concentrația de atomi din rețeaua principală.
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: