Grosime - strat - substanță - enciclopedie mare de petrol și gaze, articol, pagina 1

Grosimea stratului de materie este determinată de înălțimea cilindrului. Pentru a obține straturi subțiri de material (mai puțin de 1 mm), utilizați garnituri de cuarț, care sunt plăci cilindrice paralele, care sunt introduse în interiorul sticlei. Grosimea stratului de substanță la utilizarea căptușelii este determinată de diferența de grosime dintre acesta și sticlă. Utilizarea cuvetelor pliabile face posibilă variația grosimii stratului de la sute de milimetri la zeci de centimetri. [2]

Dacă grosimea stratului de materie. prin care particulele trec, este astfel încât să nu apară pierderi semnificative de energie în raport cu energia inițială, atunci absorbantul este considerat a fi subțire. [3]

Estimăm grosimea stratului de materie / T (1), necesară pentru traversarea razelor extreme cu axa fasciculului în interiorul mediului neliniar. [5]

Să estimăm grosimea stratului de materie / cp necesar pentru traversarea razelor extreme cu axa fasciculului în interiorul mediului neliniar. Datorită adaosului neliniar la indicele de refracție n A2, apare o diferență de fază între oscilațiile de pe axa fasciculului și la marginile sale. Amplitudinea câmpului pe axa fasciculului va fi notată cu AO, iar la margini vom presupune că este zero. [7]

Determinați grosimea stratului de materie. care este necesară pentru atenuarea luminii: 1) de 2 ori; 2) de 5 ori. [8]

I este grosimea stratului de materie. c este concentrația sa, [a] este constanta de rotație (spre deosebire de rotația constantă a cristalelor a, acest coeficient [9]

Intervalul maxim este grosimea stratului de substanță A, în care sunt reținute toate particulele fasciculului. [11]

Valoarea lui a1 este egală cu grosimea stratului de materie. când trece prin care intensitatea luminii scade cu un factor de e. O absorbție a luminii semiconductor se poate datora diferitelor procese :. Excitarea electronilor din banda de valență la banda de conducție, schimbarea energiei de vibrație a atomilor din zăbrele, etc. Fiecare dintre aceste procese vor corespunde absorbției luminii semiconductor într-un anumit domeniu spectral. [13]

Valoarea lui a este egală cu grosimea stratului de materie. când trece prin care intensitatea luminii scade cu un factor de e. O absorbție a luminii semiconductor se poate datora diferitelor procese :. Excitarea electronilor din banda de valență la banda de conducție, schimbarea energiei de vibrație a atomilor din zăbrele, etc. Fiecare dintre aceste procese vor corespunde absorbției luminii semiconductor într-un anumit domeniu spectral. [14]

În experimente, determinăm de obicei grosimea stratului de materie și presiunea oxigenului, la care este încă posibilă răspândirea flacării de la sursa locală de aprindere pe tot stratul. [15]

Pagini: 1 2 3 4

Distribuiți acest link:






Articole similare

Pagina anterioară

Pagina următoare

Trimiteți-le prietenilor: