Este important să subliniem faptul că, cu o creștere epitaxială, orientarea cristalografică a stratului de stivuire repetă orientarea cristalografică a substratului. Cu ajutorul epitaxiei, se obține un strat subțire activ (de lucru) de semiconductor pe un substrat pasiv relativ gros. Rolul substratului se reduce la o creștere a rezistenței structurale a elementului semiconductor.
Forma modelelor de gravare ne permite să facem o concluzie cu privire la orientarea cristalografică.
Un efect semnificativ similar asupra disponibilității anumitor orientare cristalografică de suprafață - textură găsită în studierea procesului de precipitare electrolustruire galvanice, aliaje de alama, otel, aliaje de metale Nimonic omogene și pure. Se constată că dizolvarea anodică a metalului este controlată de-a lungul întregului timp de structura metalului. Cu cât textura este mai perfectă, cu cât procesul de lustruire este mai reușit, cu atât este mai lucioasă suprafața și cu atât este mai pozitiv potențialul acesteia.
Dacă rata de creștere a etapei v peste toate orientările cristalografice nu este aceeași, atunci, conform lui Barton, Cabrera și Franck, se formează 185 de spirale poligonale.
Natura distrugerii lamei de lucru GTE. Prin urmare, este necesar să se încerce obținerea unei structuri cu o orientare cristalografică (001), care să ofere o combinație optimă de proprietăți mecanice și rezistente la căldură. Trebuie menționat un alt punct important, și anume faptul că aliajele cu orientare (001) au un modul de elasticitate mai scăzut în comparație cu aliajele a căror structură constă în boabe echiaxate. Astfel, în piesele turnate prin cristalizare directă, este posibil să se reducă nivelul solicitărilor termice, ceea ce le crește rezistența în timpul ciclului termic.
Relația dintre rata de reacție și orientarea cristalografică la suprafață nu a fost stabilită, în ciuda abundenței de literatură pe această temă. Există multe experimente care confirmă această relație, dar alte studii au arătat că rata de cataliză nu depinde de orientarea cristalografică.
Dependența de temperatură a coeficientului de distribuție a impurității generalizate decalaj telur epitaxială, depuse într-un 3 sisteme atunci când concentrația telur închis (/ și deschis (2, în topitură, proporția atomică 1 - .. 6 - 10 2 - 03-10 iulie - b - B. z - 1 7X X10 - 4. | Schema de echilibru lot hrănite (I dezechilibru (metode de cristalizare b elektrozhidkofaznoy o anumită influență asupra valorii efective a coeficientului de distribuție are o orientare cristalografică a planului de substrat este găsit experimental că planul (III) efectivul la .. donatori de distribuție ffitsienty KD mai kA și acceptori este mai mică decât în planul (III) A. Dependența de orientare a coeficienților de distribuție eficienți în procesul de epitaxie fază lichidă, precum și creșterea unor cristale în vrac pot fi explicate prin natura diferită a adsorbția impurităților de pe diferite planuri regului semiconductori.
Rezultatul gravării suprafeței depinde, de obicei, în mare măsură de orientarea cristalografică. Planurile dens ambalate, de regulă, sunt mai ușor de etchat decât alte plane de cristal. Dacă deviați de la această orientare, efectul gravării preferențiale poate să dispară pentru anumiți agenți de etanșare. Alegerea etalatorului potrivit, puteți obține gropi în avioane cu indicii mari.
Modelul bidimensional al materialului nanostructurat. Schema de clasificare a materialelor PC conform formei cristalitelor și granițelor, precum și a compoziției lor chimice. Blocurile pot diferi în structura atomică, orientarea cristalografică și compoziția chimică. Dacă blocurile de construcție sunt cristale, se pot forma interfețe coerente sau incoerente între ele.
Deoarece intensitatea luminii polarizate depinde în mare măsură de orientarea cristalografică a cristalului pe suprafață, utilizarea luminii polarizate cel mai potrivit pentru studiul microstructurii materialelor policristaline, sau pentru a determina orientarea lor preferată. Datorită diferenței de lungime a căii optice de fascicule de lumină formează la o astfel de bandă de amplificare pană reciprocă și obturare în conformitate cu o ecuație a formularului nx 2 cos hy 6, unde n - ordinea de interferență; μ, este indicele de refracție a aerului; d este grosimea pantei.
Morfologia și numărul de embrioni depind în mod special de orientarea cristalografică a substratului metalic, în timp ce orientarea lor în același plan cristalografic rămâne neschimbată. Se pare că ionul de oxigen este situat în centrul feței cubului unitar, ceea ce corespunde poziției sale în rețeaua FeO. Apoi, densitatea maximă a locurilor disponibile se află pe planul (100), pe care, într-adevăr, sa observat numărul maxim de embrioni.
Trebuie subliniat faptul că A depinde de orientarea cristalografică a planului în cauză, deoarece Ws și Noi sunt diferite pentru fețe diferite. Deoarece Noi nu se schimbă atât de mult de la o față la alta ca Ws, atunci K pentru o față înfundată în alte condiții identice este mai mică decât pentru o față cu o densitate scăzută a atomilor.
În această lucrare se prezintă principalele rezultate ale studierii efectului orientării cristalografice a substraturilor din safir asupra orientării și morfologiei suprafeței straturilor epitaxiale de sulfură de cadmiu.
Condițiile favorabile pentru apucare sunt coincidența boabelor cu o orientare cristalografică apropiată.
II vom examina câteva metode de studiere a suprafețelor cu o orientare cristalografică specifică pe monocristale individuale.
Cristalele singulare pot fi cu o dată sau cu o singură orientare cristalografică arbitrară. Cristalele sunt produse l undoped, sau dopate cu indiu și galiu. Rezistența la temperatură a cristalelor unice de rezistență ridicată de sulfură de cadmiu trebuie să se situeze în intervalul de la 1 până la 15 ohmi-cm. Rezistență electrică specifică.
De exemplu, în Si, sa stabilit o relație între orientarea cristalografică a limitelor granulelor și proprietățile lor de recombinare.
Pentru monocriști de diferite orientări, se stabilește o dependență esențială a plasticității de orientarea cristalografică, ceea ce indică un mecanism de dislocare a fluxului superplastic. Cu toate acestea, o caracteristică importantă distinctivă a acestor materiale este prezența porozității de granulație a granulelor și constanța nivelului acesteia pe întreaga deformare.
Exemple de epitaxi, ca rezultat al straturilor substratului pe diferite tipuri de substrat. este depus siliciu neutru. Stratul epitaxial al siliciului depus este un singur cristal și are aceeași orientare cristalografică ca și substratul.
Acest electrolit sa dovedit a fi optimă pentru heterogenitate detecție mikroelektrohimicheskoy datorită orientării cristalografice: măsurat diferența de potențial dintre granulele individuale se apropie maximul la diferența de potențial inițial. Dovada este nici o dependență a diferenței de potențial măsurată prin distanța dintre granulele investigate pe suprafața secțiunii (care indică absența unei astfel de makropar electrolit) și prezența numai în funcție de intensitatea de dizolvare a boabelor, determinată de apariția în câmpul microscopului.
Potențialele sare în tranziția de la cereale la cereale se datorează orientării cristalografice diferite a suprafețelor acestor boabe.
Forma de echilibru a cristalitului este determinată de schimbarea energiei de suprafață ca funcție a orientării cristalografice.
Primii cinci termeni (după Φο) nu depind de orientarea cristalografică a vectorilor H și L; acești termeni au o origine de schimb. Următorii doi termeni sunt legați de interacțiunile relativiste; Axa z este aleasă, ca de obicei, de-a lungul axei principale a simetriei cristalului.
Primii cinci termeni (după Φ0) nu depind de orientarea cristalografică a vectorilor H și L; acești termeni au o origine de schimb. Următorii doi termeni sunt legați de interacțiunile relativiste; Axa z este aleasă, ca de obicei, de-a lungul axei principale a simetriei cristalului.
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: