Stratul de bază - o enciclopedie mare de petrol și gaze, articol, pagina 4

Stratul de bază

Curba de temperatură depinde de concentrația de impurități din stratul de bază. Coeficientul a, și, de asemenea, P crește atunci când tranzistorul este încălzit și scade atunci când este răcit. Dependența de temperatură a coeficienților a și p este apropiată de cea liniară, iar în intervalul de la -60 la 60 C, multiplicitatea schimbării este de aproximativ două. [46]







Se știe că câmpurile electrice încorporate în straturile de bază ale structurilor multistrat. datorită profilurilor de difuzie ale atomilor de impurități, modificați vitezele proceselor tranzitorii în timpul comutării structurilor. In cele mai multe cazuri, tiristoare, dezactivează controlul curentului produs prin difuzie și, prin urmare, cel puțin una din bazele (adesea în p-bază) deține gradientul atomilor de impuritate. [47]

Trebuie remarcat faptul că, în cele mai multe dispozitive reale, stratul de bază (de obicei, tipul p) este produs prin difuzie și concentrația atomilor de impuritate în acesta, spre deosebire de cazul de mai sus, se diminuează cu distanța de la suprafața în cristal semiconductor. Rezistența stratului de bază RQ în acest caz depinde de adâncimea emițătorului și a joncțiunilor de colectori. [49]

Pentru a forma straturile de difuzie - un strat anod de pz strat p bază și n2 strat catodic - utilizat în general aceeași impuritate ca cea pentru diode de putere, și anume, aluminiu și bor (sau galiu) pentru formarea straturilor de tip p conductivitate și fosfor pentru formarea unui strat cu conductivitatea electrică electronică. [50]

Rata de gravare este de asemenea afectată de variațiile rezistivității stratului de bază. gradul de perfecționare a laturii cristaline a germaniului și orientarea sa. Acești factori sunt de importanță secundară și pot fi compensați prin reglarea compoziției de decapare. [51]







Aceasta înseamnă că o parte a curentului de deconectare curge de-a lungul stratului de bază p2, deplasând joncțiunea pn / 4 în direcția înainte. [53]

Se poate observa că stratul n al structurii cu patru straturi este simultan stratul de bază al tranzistorului pn-p și stratul colector al tranzistorului np-n. [55]

Concentrațiile în exces ale purtătorilor de sarcină non-echilibru acumulate în straturile de bază sub influența acestor curenți sunt extrem de mici. Din cauza tranzițiilor tehnologice shuntirovki / 3 Conceptul redundant - Graces electroni și găuri în straturile p de bază Tiristoare T și T2 poate presupune a fi zero. În intervalul de temperatură până la temperatura maximă admisibilă a structurilor tiristorice, inegalitatea n, CMy este de obicei satisfăcută. Prin urmare, taxele de exces de electroni și găuri acumulate în bazele tiristoarele până la furnizarea impulsului de curent al electrodului poarta nu este suficientă pentru plata taxelor ionizate atomi de dopant în regiunea de sarcină spațială a joncțiunii colector. [56]

Aproximativ același câmp electric apare în stratul de bază. situată sub partea neetalizată a emițătorului. Sub acțiunea acestui câmp, găurile din baza p2 și electronii din baza HI se deplasează. Aceste fluxuri de găuri în baza p2 și electronii din baza HI sunt prezentate în Fig. 10.4 cu săgeți punctate. Ei joacă rolul de control al curenților de electrozi pentru porțiunea tiristor situată sub marginea părții metalizată a emițător, și să conducă la includerea a doua porțiune a tiristorului. [57]

Sub influența curentului electrodului de comandă / c în straturile de bază ale tiristorului, încărcarea critică a electronilor și a găurilor de neechilibru se acumulează în regiunea incluziunii inițiale. În același timp, coeficienții dinamici de transfer de curent ai tranzistorilor tiristor compoziți cresc, iar un puternic feedback pozitiv este stabilit între aceste tranzistoare. Prin urmare, după un timp scurt de la aplicarea impulsului / c curent, începe etapa de întârziere a incluziunii și începe etapa de creștere avalanșă a curentului anodic. În acest caz, curentul anodic curge complet prin regiunea tiristorului inițial. [59]







Articole similare

Pagina anterioară

Pagina următoare

Trimiteți-le prietenilor: