Field tranzistori efect (MOS, MOSFET) sunt din ce în ce mai utilizate în electrotehnică și electronică. Ele diferă de tranzistoarele bipolare (p-n-p, n-p-n) prin faptul că controlează semnalul de ieșire de către câmpul electric de comandă. Se utilizează, în special, tranzistori cu efect de câmp cu o poartă izolată.
Desemnarea în limba engleză a acestor tranzistoare este MOSFET, ceea ce înseamnă "tranzistor semiconductor cu oxid de metal controlat de câmp". În literatura internă, aceste dispozitive sunt adesea denumite tranzistori MIS sau MOS. În funcție de tehnologia de fabricație, astfel de tranzistoare pot fi canale n sau p.
Caracteristici de proiectare, stocare și instalare a tranzistorilor cu efect de câmp
Tranzistorul este de tip n-canal este format dintr-un substrat de siliciu cu p-conductivitate, n-regiuni obținute prin adăugarea de impurități ale substratului, dielectrice, izolatoare poarta de canal, situată între n-regiuni. În n-regiunile, conexiunile (sursă și scurgere) sunt conectate. Sub acțiunea sursei de energie, un curent poate curge de la sursă la scurgere prin tranzistor. Amplitudinea acestui curent este controlată de poarta izolată a dispozitivului.
Atunci când lucrați cu tranzistoare cu efect de câmp, trebuie luată în considerare sensibilitatea acestora la efectul unui câmp electric. Prin urmare, acestea trebuie să fie depozitate cu cabluri scurte cu folie și, înainte de lipire, este necesară scurtcircuitarea cablurilor cu un fir. Pentru a lipi tranzistoarele cu efect de câmp este necesară utilizarea unei stații de lipit care asigură protecție împotriva electricității statice.
Înainte de a începe verificarea FET, este necesar să determinați fixarea acestuia. Deseori, pe dispozitivul importat sunt plasate etichete care determină concluziile corespunzătoare ale tranzistorului. Litera G reprezintă poarta dispozitivului, litera S este sursa, iar litera D este scurgerea. Dacă nu există nici un pinout pe dispozitiv, este necesar să o vizualizați în documentația pentru acest dispozitiv.
Schema de încercare pentru un tranzistor cu efect de câmp multi-canal de tip n-canal
Înainte de a verifica FET, este necesar să se țină cont de faptul că în componentele radio moderne, cum ar fi MOSFET, există o diodă suplimentară între scurgere și sursă. Acest element este de obicei prezent în diagrama dispozitivului. Polaritatea sa depinde de tipul de tranzistor.
Ordinea de verificare a funcționalității unui tranzistor n-canal cu un multimetru este după cum urmează:
- Îndepărtați electricitatea statică din tranzistor.
- Transferați multimetrul în modul de verificare a diodelor (în această poziție aparatul măsoară rezistența la o tensiune care depășește pragul de deblocare a porții).
- Conectați firul negru al multimetrului la minuscul dispozitivului de măsurare, iar firul roșu la plus.
- Conectați firul roșu la sursă și firul negru la scurgerea tranzistorului. Dacă tranzistorul este funcțional, multimetrul va indica valoarea finală a rezistenței la tranziție.
Conform măsurătorilor efectuate, se poate concluziona că dacă tranzistorul cu efect de câmp este deschis și închis folosind o tensiune constantă din multimetru, atunci funcționează.
Un tranzistor cu efect de câmp are o capacitate de intrare mare, care este descărcată pentru o perioadă destul de lungă. Acesta este folosit la verificarea tranzistorul când acesta este deschis primul multimetru tensiune (revendicării 6), iar apoi de ceva timp până când capacitatea de intrare este descărcată, măsurători suplimentare sunt realizate (pp 7-8).
Estimarea integrității dispozitivului cu canal p
Verificarea funcționalității FET-ului canalului p se realizează în același mod ca și FET-ul cu canale n-canal. Diferența este că în paragraful 3 la minusul multimetrului trebuie să conectați un fir roșu și la plusul unui multimetru - un fir negru.
Știți că, ca orice religie idolatră, relativismul este fals în baza sa. Ea contrazice faptele. Printre acestea se numără:
1. Valul electromagnetic (în terminologia religioasă a relativismului - "lumina") are o viteză strict constantă de 300 mii km / s, absurd neimprimată pe nimic. În realitate, undele EM au viteze diferite în materie (de exemplu,
200 mii km / s în sticlă și
3 Mill. Km / sec în straturile metalice de suprafață, viteză diferită în eter (a se vedea. Articolul „eter Temperatura și schimburile roșii“), o rată diferită de frecvențe diferite (a se vedea. Articolul „Rata EM-valuri“)
2. În relativism, "lumina" este un fenomen mitic în sine, și nu un val fizic, care este entuziasmul unui anumit mediu fizic. Relativistul "lumină" este excitarea nimicului în nimic. Nu are un suport pentru oscilații.
3. În relativism, posibile manipulări cu timpul (încetinirea ritmului), astfel încât sunt violate principiul fundamental pentru orice principiu științific al cauzalității și principiul logicii stricte. În relativism, la viteza luminii, timpul se oprește (deci este absurd să vorbim despre frecvența fotonilor). În relativism, este posibilă o asemenea violență în minte, cum ar fi afirmarea excesului relativ al vârstei gemenilor care se mișcă cu viteză subluminată și alte batjocuri ale logicii inerente oricărei religii.
ȘTIRI ALE FORUMULUI
Cavalerii teoriei eterului
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: