Cercetătorii, lucrătorii de la Universitatea Națională de Tehnologie și Standarde (NIST), Statele Unite ale Americii, pentru prima dată, a relevat prezența principalelor caracteristici magnetice (spre deosebire de electronice) intenționează să realizate în dispozitive semiconductoare. Această descoperire deschide un nou mod de a proiecta chiar mai multe dispozitive de stocare miniatură și rapidă.
Dispozitive de stocare magnetice moderne, găsit utilizarea pe scară largă în electronică de consum (MP3-playere, camere video, hard discuri de calculatoare), sunt destinate depozitării; în procesarea sa, elementele semiconductoare sunt deja implicate. Desigur, că datele să se deplaseze între aceste două seturi de pierdut ceva timp, reducând astfel performanța non-specializate. Combina mai multe, care a inclus cercetători din tehnologia și Institutul Național de Standarde (SUA), Universitatea din Coreea (Republica Coreea) și Universitatea Notre Dame (SUA), a declarat că în viitorul apropiat această problemă va fi rezolvată.
Fenomenul de împerechere antiferromagnetică în semiconductori. atomi de mangan (evidențiate în galben) amplasate în straturi magnetice adiacente orient semiconductor talie proprie în direcții opuse reciproc desen B.Kirbi (B.Kirby).
Într-un articol din publicația ballpen Letters Physical Review (J.-H. Chung, S.J. Chung, S. Lee, B. J. Kirby, J.A. Borchers, Y.J. Cho, X.Liu și J.K. Furdyna.
Schimbul de straturi intermediare antiferomagnetice mediate de transportator în multistraturi semiconductoare magnetice diluate Ga1-xMnxAs / GaAs: Be. Physical Review Letters, (în presă), oamenii de știință să informeze de succes de înregistrare experiență de finalizare asocierea antiferomagnetism în semiconductori (prezentate în figură, esența fenomenului rezidă în faptul că atomii din straturile individuale ale semiconductoare magnetice orientează în mod spontan propriile lor momente magnetice opuse în raport cu stratul adiacent direcție).
Arsenidul de galiu (GaAs) a fost ales pentru experimente, în care o parte din atomii de galiu a fost înlocuită cu mangan. Teoria a prefigurat manifestarea rezultatului combinării antiferomagnetice în filmele înguste pentru ca un material să fie împărțit de straturi de substanță nemagnetică cu o anumită grosime.
Pentru a testa presupunerile teoretiștilor, oamenii de știință au folosit dezvoltarea reflectometriei neutronilor de polarizare. Esența sa este redusă la iradierea unui exemplu cu un fascicul de particule și studiul ulterior al radiației reflectate. Neutronii, după cum știm, au un moment magnetic și cad ușor în material; fluxul reflectat al neutronilor polarizați furnizează date privind starea straturilor individuale de materie.
Potrivit cercetatorilor de la tensiuni scăzute și la temperaturi scăzute ale câmpului magnetic extern în care a fost plasată o probă, a confirmat orientarea antiparalelă a momentelor magnetice ale atomilor straturilor adiacente ale semiconductorului. Și odată cu creșterea tensiunii, toate momentele magnetice sunt aliniate paralel unul cu celălalt. În practică, acest lucru indică o abilitate de a crea un nou tip de logică, care este operat în mod tradițional (câmp electric), dar împreună cu această schimbare orientarea rotirilor reține acele permite în mod specific structura semiconductor.
Găzduit de NanoWeek,
Semiconductori magnetici
Postări interesante
Articole populare de pe site:
Articole similare
-
Cum de a alege și de a cumpăra piscine gonflabile, numai cele mai bune comentarii de pe Internet
-
Cum de a măsura înălțimea barometrului turnului, numai cele mai bune recenzii ale Internetului
Trimiteți-le prietenilor: