De regulă, ROM-urile au o organizație multi-bit cu o structură 2DM. Tehnologiile de fabricație sunt cele mai diverse - CMOS, n-MOS, TTL (Ш) și matrice de diode.
Toate ROM-urile pot fi împărțite în următoarele grupuri: programabile la fabricare (mascate), cu programare unică și reprogramabile.
În dispozitivele de memorie programabile în timpul fabricării (ROM sau ROM), informațiile sunt înregistrate direct pe parcursul procesului de fabricație folosind o mască, numită mască, în etapa finală a procesului de fabricație. Astfel de ROM-uri sunt numite mascate, construite pe diode, tranzistoare bipolare sau MOS.
Domeniul de utilizare a ROM-urilor mascate este stocarea informațiilor standard, de exemplu, generatoare de caractere (coduri alfabetice latine și rusești), tabele cu funcții tipice (sines, funcții patrate), software standard.
Numerele programabile de citire (PROM sau PROM) sunt ROM-uri cu posibilitatea de programare electrică unică. Acest tip de memorie permite utilizatorului să programeze o dată cipul de memorie cu ajutorul programatorilor.
Chipsurile EEPROM sunt construite pe celule de memorie cu jumperi fuzionați. Procesul de programare constă în fuziunea selectivă a punților fuzibile cu ajutorul impulsurilor curente de amplitudine și durată suficiente. Jumperii fuzionați sunt incluși în electrozii diodelor sau tranzistorilor.
În matrice, totul este "0", iar în timpul programării acești jumperi sunt aprinsi, în celule ale căruia trebuie să existe logică "1".
Numerele reprogramabile de citire (EPROM și EPROM UV) - ROM cu posibilitatea programării electrice multiple. În memoria EEPROM a EPROM, informațiile vechi sunt șterse cu ajutorul razelor ultraviolete, pentru care există o fereastră transparentă în carcasa cipului; în EEPROM - folosind semnale electrice.
Celulele de memorie ale EPROM sunt construite pe n tranzistoare NMOS sau CMOS. Diferite fenomene fizice de stocare a încărcăturii la limita dintre două medii dielectrice sau un mediu conductiv și dielectric sunt folosite pentru a construi GE.
În EEPROM cu o ștergere electrică deasupra porții plutitoare a tranzistorului, este plasată oa doua poartă de control. Aplicarea tensiunii la ea determină ca încărcarea să disipeze pe poarta plutitoare din cauza efectului tunelului. EPROM-urile au avantaje semnificative față de EEPROM-ul UV, deoarece nu necesită surse speciale de lumină ultravioletă pentru reprogramare. Memoria cu o ștergere electrică aproape a înlocuit memoria cu ștergerea ultravioletei.
ROM-urile moderne au o capacitate de informare de până la 4 Mbps la o frecvență de ceas de până la 80 MHz.
Trimiteți-le prietenilor: