Tipuri de RAM
memorie cu acces aleator (RAM, Random Access Memory, memorie cu acces aleator) - este un mediu de stocare volatile, care sunt încărcate și în care există aplicații și date la momentul respectiv, în timp ce lucrați cu ei. Când terminați lucrul, informațiile sunt eliminate din memoria principală. Dacă trebuie să actualizați datele de disc corespunzătoare, ele sunt suprascrise. Acest lucru se poate întâmpla automat, dar de multe ori necesită o comandă de la utilizator. Când opriți computerul, toate informațiile din memoria principală se pierd.
Deși memoria a scăzut considerabil în preț, este necesar să o modernizăm mult mai des decât acum câțiva ani. În prezent, noile tipuri de memorie sunt dezvoltate mult mai repede, iar probabilitatea ca noile computere să nu poată instala un nou tip de memorie este mai mult decât oricând.
DRAM (dinamic RAM);
SRAM (RAM static).
Există mai multe metode de organizare a memoriei:
Computerele de prima generație bazate pe baza elementului au fost extrem de nesigure. Astfel, timpul mediu de eroare pentru computerul ENIAC a fost de 30 de minute. Viteza de numărare nu a fost comparabilă cu viteza numărului de computere moderne. Prin urmare, cerințele de stocare a datelor în memoria calculatorului în cazul unei defecțiuni la computer au fost mai stricte decât cerințele pentru viteza RAM. Ca rezultat, în aceste computere a fost utilizată memoria nevolatilă.
E
Memoria nevolatilă permite stocarea datelor introduse în ea pentru o perioadă lungă de timp (până la o lună) atunci când alimentarea a fost oprită. Cel mai adesea s-au folosit miezuri de ferită de memorie nonvolatile. Ele sunt un torus din materiale speciale - ferite. Feritele se caracterizează prin faptul că bucla histerezis a dependenței magnetizării lor de câmpul magnetic extern este practic rectangulară.
Fig. B.1.Diagram de magnetizare a feritelor
În consecință, magnetizarea modificărilor de bază în salturi (poziția 0 sau un binar 1, vezi figura B.1.) Capacitatea memoriei element de simplu De aceea, colectând circuitul prezentat în figura B.2, aproape asamblate din 1 biți. Memorie pe miezuri de ferită lucrat lent și ineficient: deoarece la inversarea de bază a luat timp, și a fost petrecut o mulțime de energie electrică. Prin urmare, cu îmbunătățirea fiabilității bazei elementului de memorie de calculator volatilă a devenit volatilă suplinit - mai rapid, mai ieftin și mai economic. Cu toate acestea, oamenii de știință din diferite țări lucrează încă pentru a găsi o memorie volatilă rapidă care ar putea funcționa într-un calculator pentru aplicații critice, în special pentru cele militare.
Fig. B.2 Circuitul elementului de memorie pe miezurile de ferită
Spre deosebire de memoria pe miezurile de ferită, memoria semiconductoare este volatilă. Aceasta înseamnă că atunci când alimentarea este oprită, conținutul său este pierdut.
Avantajele aceleiași memorii semiconductoare înaintea înlocuitorilor lor sunt:
consum redus de energie;
Aceste avantaje se suprapun foarte mult la deficiențele memoriei semiconductoare, ceea ce îl face de neînlocuit în memoria RAM a computerelor moderne.
Tipul de memorie DRAM
Dynamic RAM (DRAM) este utilizat în majoritatea sistemelor PC RAM. Principalul avantaj al acestui tip de memorie este acela că celulele sale sunt ambalate foarte strâns, adică într-un mic cip puteți împacheta o mulțime de biți, și zanachit, pe baza lor, puteți construi o capacitate mai mare de memorie.
Celulele de memorie din chip-ul DRAM sunt condensatori mici care dețin încărcături. Problemele asociate cu memoria de acest tip sunt cauzate de faptul că este dinamic, adică trebuie să fie regenerată în mod constant, deoarece în caz contrar încărcăturile electrice din condensatoarele de memorie vor "evacua" și datele vor fi pierdute. Regenerarea are loc atunci când controlerul de memorie al sistemului ia o pauză mică și accesează toate liniile de date din cipurile de memorie. Cele mai multe sisteme au un controler de memorie (de obicei, construit în set placa de baza chipset-ul), care este setat la standardele corespunzătoare ale industriei de regenerare frecvența raschvnuyu 15 microsecunde.
În dispozitivele DRAM, doar un tranzistor și o pereche de condensatoare sunt folosite pentru a stoca un bit, astfel încât acestea sunt mai capabile decât alte tipuri de cipuri de memorie. Tranzistorul pentru fiecare registru DRAM cu o singură lovitură utilizează starea condensatorului adiacent pentru citire. Dacă condensatorul este încărcat, 1 este scris în celulă; dacă nu există nicio sarcină, este scris 0. Încărcăturile în condensatori mici se scurge tot timpul, motiv pentru care memoria ar trebui să fie regenerată constant. Chiar și o întrerupere momentană a alimentării cu energie, sau orice defecțiune a ciclului de regenerare va avea ca rezultat o pierdere de sarcină în celula DRAM, și, prin urmare, la pierderea de date.
Nu mai este relevant să folosiți autobuze de memorie de 66 MHz. Dezvoltatorii de DRAM au găsit oportunitatea de a depăși acest punct de reper și au avut câteva avantaje suplimentare prin implementarea unei interfețe sincrone.
Modul FPM de memorie dinamică de acces aleatoriu
Stadializarea memoriei este o schemă simplă pentru îmbunătățirea eficienței memoriei, conform căreia memoria este împărțită în pagini cu lungimea între 512 octeți și câteva kilobiți. Scrolul electronic vă permite să reduceți numărul de stări de așteptare la accesarea celulelor de memorie într-o pagină. Dacă locația de memorie dorită este în afara paginii curente, se adaugă una sau mai multe stări de așteptare, deoarece sistemul selectează o pagină nouă.
Prima generație de mare viteză DRAM este atribuită în principal EDO DRAM, SDRAM si RDRAM, iar următorul - ESDRAM, DDR SDRAM, RDRAM directă, SLDRAM (anterior Synchlink DRAM), etc ...
Luați în considerare unele dintre aceste tipuri de RAM.
Trimiteți-le prietenilor: