Fenomenul efectului fotoelectric intern poate fi observat în semiconductori, unde apare ca o modificare a rezistenței, precum joncțiuni pn, în care există procese diferite. Energia incidentului radiației electromagnetice pe suprafața semiconductorului, electronii de valență este transferată (§ 2 - 1) și facilitează transferul acestora către banda de conducție. Datorită acestui fapt, purtători suplimentari de curent electric apar în semiconductor, ceea ce mărește conductivitatea activă. O astfel de fenomen este tipic pentru multe materiale semiconductoare și utilizate în seleniu, staniu, cadmiu, taliu și altele. Deoarece frecvența de tăiere a acestor elemente sunt de obicei mult mai mici decât frecvența de tăiere a fotocatozi, fotorezistului semiconductoare sunt deosebit de adecvate pentru utilizare în regiunea spectrală în infraroșu.
Fenomenul efectului fotoelectric intern a fost descoperit în 1873 de fizicianul american U.
Fenomenul efectului fotoelectric intern în solide se bazează pe o schimbare a nivelului de energie de către electroni în trecerea la banda de conducție sub acțiunea energiei radiației absorbante.
Cu fenomenul efectului fotoefectului intern, procesele fotochimice care apar sub acțiunea luminii în materialele fotografic sunt asociate. AgJ) dispersat într-un strat subțire de emulsie de gelatină aplicat pe o placă, film sau hârtie.
Scheme de comutatoare optoelectronice K249KN1A. Care este fenomenul efectului fotoelectric intern în semiconductori?
Care este fenomenul efectului fotoalimentar intern?
Dependența spectrală a D pentru detectoare de radiații optice comune. Detectoarele Photon pune în aplicare fenomen intern efect fotoelectric, în care purtătorii de sarcină nu sunt lăsați materialul detector, și în banda de conducție sau de la un nivel de impuritate, fie din banda de valență.
. De bază SES parabolotsilnndrnchesknmi concentratoare parametri (CCP baza fenomenului se intinde FEP efectul fotoelectric intern -. Formarea purtatori de sarcina sub influența radiațiilor ionizante termice de absorbție a luminii și fotoionizare crește energia electronilor și găuri fără a le separa în spațiu.
Grupul de fotocelule luate în considerare se bazează pe fenomenul unui efect fotoelectric intern într-un semiconductor. Totuși, acest fenomen simplu în acest caz este complicat de prezența unui strat de separare foarte subțire pe interfața semiconductor-metal cu o rezistență mare și o acțiune de rectificare.
Aparatul este un fotorezistor. Un dispozitiv semiconductor care folosește fenomenul unui efect fotoelectric intern este numit fotorezistor. Este o placă sau film de semiconductor, a căror rezistență variază sub influența luminii.
În fotorezistențe (PS), fenomenul efectului fotoelectric intern este utilizat - în iluminarea anumitor semiconductori, electronii atomilor provoacă conductivitate.
Principiul de funcționare a receptoarelor fotovoltaice se bazează pe fenomenul fotoefectului extern și intern. Efectul fotoelectric extern constă în emisia de substanță a electronilor sub acțiunea fasciculelor electromagnetice care intră pe suprafața sa. În acest caz, lungimea de undă a limitei este în partea infraroșie aproape infraroșu și este egală cu 1 24 μm. În consecință, acești succesori au cea mai bună sensibilitate în părțile ultraviolete și vizibile ale spectrului. În sistemele automate, ele pot fi folosite ca senzori de flacără care operează în domeniul ultraviolet al spectrului.
Atunci când energia radiantă cade pe niște semiconductoare sau izolatoare, se observă fenomenul efectului fotoelectric intern.
Cel de-al doilea tip de dispozitive de comandă - fotorezistoare, în care fenomenul de fotoecfecție internă sau fotoconductivitatea este larg utilizat, a fost utilizat pe scară largă. Sub influența radiației externe, multe semiconductoare (sulfura de bismut, sulfura de cadmiu etc.) măresc numărul de electroni de conducere. Electronii de conducere primar, care se ciocnesc cu atomii din rețeaua cristalină, determină un flux suplimentar de electroni secundari. Ca rezultat, valoarea rezistenței semiconductorului scade semnificativ.
Caracteristicile spectrale ale fotocatodelor. În fotorezistoarele care au o sensibilitate ridicată în regiunea infraroșie a spectrului, în comparație cu alte celule foto, se folosește fenomenul efectului fotoelectric intern, care este după cum urmează. Atunci când semiconductorul este iluminat (sulfură de bismut, seleniu, sulfură de cadmiu, sulfură de potasiu etc.), numărul de electroni de conducție crește. Primele electroni de conducere, care se ciocnesc cu atomii din rețeaua cristalină, determină un flux secundar de electroni, ceea ce duce la o scădere semnificativă (de sute de ori) a rezistenței fotorezistorului. Aceasta vă permite să obțineți curentul de ieșire până la câteva milliampe.
.. fotocelulă (a și fotomultiplicator (b 1 - 2 catod - anod, s - fotocatodic, 4, 5 și - emițători, 1 - anod Prin principiul acțiunilor fotocelule sunt împărțite în două tipuri: celule solare folosind fenomenul photoemission și fotocelule, folosind un efect fotoelectric intern. în al doilea rând dispozitive sub acțiunea luminii sau a modificărilor conductivitatea sau excitate forța electromotoare proprii, și acestea sunt menționate tipul de celule solare semiconductoare.
.. fotocelulă (a și fotomultiplicator (b 1 - 2 catod - anod 3 - fotocatodic, 4, 5, 6 - emițătorii, 7 - anod Prin principiul fotocelule acțiunii este separat în două tipuri: celule solare cu fenomenul photoemission și și celule solare utilizând fenomenul efectului fotoelectric intern. în al doilea rând dispozitivele sub acțiunea luminii sau a modifica conductivitatea sau excitat forța electromotoare proprii, și acestea sunt menționate la tipul de celule solare semiconductoare.
Fotorezistor este un dispozitiv fotoelectric cu efectul fotoelectric intern. Fenomenul efectului fotoelectric intern este că, atunci când sunt iluminate unele semiconductori crește în acesta numărul de electroni liberi, și deoarece conductivitatea semiconductorilor este foarte mic, aspectul de electroni liberi suplimentar conduce la creșterea conductivității și, în consecință, pentru a reduce rezistența lor.
Dacă electronii sunt evacuați prin acțiunea radiației de la atomii materiei, ci rămân în interiorul corpului, în loc să fie evacuați în afară, atunci conductivitatea electrică a substanței crește. Acest fenomen al efectului fotoelectric intern explică creșterea puternică a conductivității electrice a seleniului, atunci când acesta este supus iluminării (p.
Dacă electronii sunt evacuați prin acțiunea radiației de la atomii materiei, ci rămân în interiorul corpului, în loc să fie evacuați în afară, atunci conductivitatea electrică a substanței crește. Acest fenomen al efectului fotoelectric intern explică creșterea puternică a conductivității electrice a seleniului, când acesta este supus iluminării.
Fotodiodele pot fi fabricate din germaniu sau siliciu. În fotodiodă se folosește fenomenul efectului fotoelectric intern. Un efect photoeffect intern este procesul de ionizare a atomilor din rețeaua cristalină a unei substanțe sau a impurității în ea prin cuantele de lumină, însoțite de formarea purtătorilor de încărcături mobile.
Schema schematică a unui dozator ciclic în greutate. În aceste distribuitoare, senzorii care răspund la poziția săgeții indicatorului cadran sunt fotorezistoarele. Lucrarea lor se bazează pe fenomenul efectului fotoelectric intern, care constă în faptul că conductivitatea electrică a elementelor semiconductoare este proporțională cu cantitatea de lumină absorbită de semiconductor.
Creșterea numărului de purtătoare curente dintr-un semiconductor sub acțiunea radiației se numește efectul fotoelectric intern. Dispozitivele semiconductoare, ale căror acțiuni se bazează pe fenomenul efectului fotosensibil intern, se numesc rezistență fotografică, ele fiind utilizate în multe domenii ale tehnologiei moderne.
O secțiune schematică a fotocelulei seleniului. Atunci când energia radiantă cade pe niște semiconductoare sau izolatoare, se observă fenomenul efectului fotoelectric intern. Se manifestă prin faptul că rezistența corpului iradiat scade. Astfel de organisme includ izolații - diamant, amestec de zinc; Semiconductors -. Seleniu, argentit (Ag2S), oxid de cupru (I), etc. Natura fizică a efectului fotoelectric intern este de electroni liberi sub influența energiei cuantele luminii din rețeaua cristalină a izolatorului sau un semiconductor asociat cu atomii individuali ale rețelei și transformarea lor în electronii de conducție.
Schema de expunere la placă. După electrificare, etapa procesului electrografic este expunerea, ca urmare a apariției unei imagini electrostatice latente pe suprafața stratului fotoconductiv încărcat. La punctele de lumină care se reflectă din spațiul alb al originalului, pe baza fenomenului efectului fotoelectric intern, conductivitatea electrică a stratului crește și încărcările curg prin substratul împământat. Placa electrografică electrificată este expusă în diverse moduri: este posibilă proiectarea imaginii din original, ecranul tubului catodic sau expunerea prin metoda de contact printr-un original transparent.
Sunt utilizate două tipuri de receptoare de radiație optică: termice și fotoelectrice. Principiul de funcționare a receptoarelor termice se bazează pe conversia energiei radiației în radiație termică. Receptoarele termice includ termoelemente și bolometre. În receptoarele fotovoltaice (celule foto), se folosesc fenomene de fotoefect efect extern și intern. Acestea includ fotocelule cu vid și gaze, fotorezistoare, fotodiode, fototriode, elemente fotogalvanomagnetice.
Articole similare
-
Fenomenul - efectul fotoelectric intern - o enciclopedie mare de petrol și gaze, articol, pagina 1
-
Asociația - moleculă - volumul dicționarului tehnic - apă vi
Trimiteți-le prietenilor: