Măsurarea tranzistorului

Măsurarea tranzistorului. Ce vrei să spui?

chirurgie de by-pass coronarian, bypass aorto-coronarian (CABG) - operațiunea, care permite de a restabili fluxul de sange in arterele inimii prin ocolirea îngustarea spațiului navei coronariene folosind șunturi.

Boala coronariană este cauzată de îngustarea lumenului vaselor coronare, ceea ce duce la o cantitate insuficientă de oxigen pentru mușchiul inimii. Într-o astfel de situație, există adesea plângeri de durere în spatele sternului sau în jumătatea stângă a pieptului, așa-numitele. angina pectorală sau angina pectorală. În astfel de cazuri, sunt indicate procedurile de diagnosticare, dintre care principalul este coronarografia. Pe baza rezultatelor acestui studiu, se ia o decizie privind tratamentul ulterior direct în timpul angiografiei coronariene. În unele cazuri, este posibilă dilatarea zonei înguste cu angioplastie cu balon și inserarea unui stent, dar în majoritatea cazurilor este necesară o intervenție chirurgicală by-pass aorto-coronariană (CABG). Intervenția chirurgicală by-pass coronarian previne schimbările ireversibile ale mușchiului inimii, în multe.

Exemple de utilizare a cuvântului shunting în literatură.

Am avertizat în prealabil: există mai puține experiențe în Rusia, există clinici bune în străinătate, unde există o manevră în general în flux.

Când mi-a stabilit cronometrul pentru un alt șunt, l-am întrebat: - Ce se va întâmpla dacă ne materializăm într-un spațiu deja ocupat de cineva sau ceva?

Orice persoană care încalcă aceste reguli, chiar dacă este absolut inadecvată, poate să-și retragă imediat permisiunea de a ocoli și apoi va fi imediat returnat în prezent.

Sam - astfel de ticalosi bogate vin în furie de nedescris, când în ultimul minut a anunțat timp ofițerul de patrulare și începe să explice că el nu a putut efectua interventii chirurgicale de by-pass, datorită faptului că el va face ceva cu totul imprevizibil la partea de sus a liniei.

În continuare: din moment ce nu ați ajuns la 1105, atunci - este evident - nu a putut face opusul.

Din Wikipedia, enciclopedia gratuită

Structura MOS este o structură semiconductoare utilizată în fabricarea microcircuitelor și a tranzistorilor discreți de câmp. Semiconductors pe baza acestei structuri sunt numite tranzistori MOS (din cuvintele "semiconductor de metal-oxid", Eng. Metal-oxid-semiconductor cu efect de câmp tranzistor, abreviat ca «MOSFET»), tranzistori MIS (de la cuvintele „metal-izolator-semiconductor ") Sau tranzistori cu o poartă izolată (deoarece pentru astfel de tranzistori poarta este separată de canal printr-un strat subțire de dielectric). [1]

Spre deosebire de tranzistoare bipolare, care sunt controlate de curent, tranzistori cu tensiune de poarta izolată controlată deoarece, datorită izolate electrod de comandă (gate) astfel tranzistori au impedanță de intrare foarte mare.

Tipul canalului [edit edita wiki-text]

Există tranzistoare MOS cu propriul lor (sau built-in) (tranzistorul de mod de epuizare în limba engleză) și induse.

Conectarea paralelă a tranzistorilor bipolare

Una dintre cele mai comune cerințe pentru dezvoltarea sau completarea surselor de alimentare este creșterea curentului de ieșire.

În astfel de surse, o simplă conexiune a numelor similare de tranzistori de obicei nu dă rezultate practice din cauza distribuției inegale a curentului între tranzistori. Cu o creștere a temperaturii de funcționare, distribuția inegală a curentului între tranzistori devine și mai mare, până când practic întregul curent de sarcină curge prin unul dintre tranzistori.

Varianta propusă în figura 1 poate fi implementată cu condiția ca tranzistorii conectați paralel să aibă caracteristici complet identice și să funcționeze la aceeași temperatură. Această condiție este practic imposibil de realizat din cauza răspândirilor relativ mari în caracteristicile tranzistorilor bipolari. Fig. 2 prezintă modul de implementare a comutării paralele a tranzistorilor într-o sursă de alimentare liniară. Cu asta.

Echipamente electronice: tranzistoare bipolare. Clasificarea, proiectarea, principiul de funcționare a tranzistorilor, circuitele de comutare, fototranzistori, efectul temperaturii și frecvenței asupra funcționării tranzistorilor

Moskatov EA Cartea "Inginerie electronică. Acasă »

4. Tranzistoare bipolare

4.1. Informații generale despre tranzistori

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare care au cel puțin trei terminale și, în anumite circumstanțe, pot amplifica puterea, converti un semnal sau pot genera oscilații. Diferite tipuri de tranzistori sunt multe - acest domeniu (unipolară) și bipolare tranzistori, izolate poarta tranzistor bipolar și Unijunction (două baze) tranzistori, tranzistori foto și altele.

Cascadele amplificate realizate pe tranzistori necesită o tensiune mică de alimentare de numai câțiva volți, iar eficiența poate ajunge la câteva zeci de procente. Tranzistori în comparație cu cele electronice.

(51) 5 H02M3 / 337, G05F1 / 46

(54) TRANSMITER DE TENSIUNE STABILIZAT CU MICROCIRCUITE DIGITALE

Utilizare: surse de alimentare secundară a echipamentelor radioelectronice, atunci când sunt introduse cerințe ridicate pentru eficiență cu o gamă largă de modificări de tensiune. REZUMATUL INVENȚIEI: un amplificator de putere în doi timpi este acționat de către generator de tensiune dreptunghiulară, incluziunea fiecărui tranzistor fiind întârziată până la sfârșit.

În electronică și în inginerie electrică, este adesea posibil să se audă cuvintele "șunt", "manevră", "knock-out". Cuvântul "șunt" a venit la noi din limba burgheză: șunta - în traducere literală "offshoot", "transfer la un siding". În consecință, un șunt în electronică este ceva care "se învecinează" cu circuitul electric și "traduce" curentul electric într-o direcție diferită. Ei bine, este deja mai ușor).

De fapt, șuntul este un rezistor simplu care are o rezistență mică, cu alte cuvinte, un rezistor cu rezistență scăzută. Și, ciudat, așa cum s-ar părea: șuntul este cel mai simplu convertor al curentului la tensiune. Dar cum este posibil acest lucru? Da, se dovedește că totul este simplu!

Deci, avem un simplu șunt. Apropo, pe circuite este desemnat ca un rezistor. Și acest lucru nu este surprinzător, pentru că acesta este un rezistor cu rezistență scăzută.

Suntem de acord să presupunem că curentul este constant și că curge de la punctul A la punctul B. Pe drum, se întâlnește cu un șunt și aproape.

Tensiune - părtinire - tranzistor

Tensiunea de polarizare a tranzistorilor se obține datorită rezistențelor R3 și 4 incluse în circuitul de bază al fiecărui triod. Bypassing aceste rezistențe cu condensatori C4 și C5 îmbunătățește în mod semnificativ comutarea de tranzistori.

Am ales tensiunea de polarizare a tranzistorului TI în stare închisă egală cu - 1, atunci divizorul Ri, R2 trebuie să creeze tensiune t / Bi 1 B. În același timp, într-o stare temporar atingerea stării de echilibru trece prin curentul de bază rezistor R a tranzistorului T, care ar trebui să asigure tranziția de tranzistor T în modul de saturare.

Elementele concepute pentru a crea un mod cascadă pentru curentul direct includ: divizorul R, R2, care determină tensiunea de polarizare a tranzistorului și lanțul R3Ca, stabilizând poziția punctului de funcționare al tranzistorului.

Tensiunea pe diodă rămâne constantă și este de aproximativ 0,6 V atunci când curentul prin ea variază într-o gamă largă. Deoarece tensiunea de părtinire a tranzistorului este stabilă, curentă.

Puternice tranzistoare de putere MOSFET cu senzor de curent

Prezența unui senzor de curent integrat în tranzistorul de putere MOSFET-cheie protejează eficient circuitele de ieșire ale dispozitivelor de supratensiune și scurtcircuite. Acest lucru sporește fiabilitatea dispozitivului și reduce costul acestuia, deoarece nu este nevoie să utilizați șuvișoare puternice de curent. Acest articol va discuta despre tranzistoarele de putere MOSFET cu un senzor de curent de la Philips Semiconductors, precum și despre diferite metode de măsurare a curentului de sarcină.

Taste MOSFET Philips Semiconductorii, fabricați folosind tehnologia TrenchMOS, sunt o matrice de câteva mii de tranzistori izolați prin poarta izolată cu poarta, plasați pe un singur cristal, ale cărui canale sunt conectate în paralel. Deoarece elementele matricei sunt identice, energia curentă și, prin urmare, energia termică eliberată sunt distribuite uniform pe întregul cristal. Conexiunea paralelă vă permite să efectuați în mod semnificativ.

Șunt pentru ampermetru. Sau cum de a face un voltmetru de la un ampermetru și invers.

Am decis să scriu acest articol când făceam o sursă de energie pentru laboratorul meu de acasă. Din experiența mea, sa observat că pe sursa de alimentare regulată ar trebui să existe un voltmetru pentru a estima tensiunea care trebuie stabilită. Și, de asemenea, un ampermetru, pentru o estimare brută a curentului consumat de încărcătură. Sa decis instalarea acestor elemente utile într-o nouă sursă de alimentare: un voltmetru și un ampermetru. După ce am căutat în cutii, am găsit două capete de măsurare potrivite (criteriul principal fiind dimensiunile minime). Cu un curent maxim de 50μA și 30mA.

Mai întâi să facem un voltmetru de la un ampermetru

Deci, să mergem la calcule.

Cel mai simplu lucru este să faci un voltmetru de la un ampermetru, folosesc un al doilea ampermetru. Pentru calcule, avem nevoie de: săgețile de curent maxim de deviere - în cazul meu 30mA, tensiunea maximă pe care voltmetrul nostru ar trebui să o măsoare este de 30V.

Folosind legea lui Ohm, găsim rezistență.

În mod literal imediat după apariția dispozitivelor semiconductoare, să zicem, tranzistori, au început repede să înlocuiască dispozitivele cu vid electric și, în special, triodele. În prezent, tranzistorii ocupă o poziție de lider în circuite.

Pentru un începător și, uneori, un designer experimentat de amatori, nu este posibilă imediat găsirea soluției de circuite necesare sau înțelegerea scopului anumitor elemente din schemă. Având la dispoziție un set de "cărămizi" cu proprietăți cunoscute, este mult mai ușor să construim o "clădire" a acestui sau acelui dispozitiv.

Fără a sta în detaliu asupra parametrilor tranzistorului (acest lucru este suficient scris în literatura modernă), vom lua în considerare numai anumite proprietăți și modalități de îmbunătățire a acestora.

Una dintre primele probleme cu care se confruntă un dezvoltator este creșterea puterii tranzistorului. Aceasta poate fi rezolvată prin comutarea paralelă a tranzistorilor (figura 1). Resistorii de egalizare a curentului din circuitele emitorului contribuie la o distribuție uniformă.

Articole similare

Pagina anterioară

Pagina următoare

Măsurarea tranzistorului