tranzistori Mnogoemitternye (MET) formează baza digitale IC tranzistor-tranzistor logic (TTL) .Imeya comun colector și de bază MET conține până la 8 emițători. Structura MET și topologia sa sunt prezentate în Fig. 60.
Fig. 60. Structura MET și topologia acesteia
Particularitatea operației MET este aceea că, în orice stare a circuitului, joncțiunea colectorului este întotdeauna deschisă, iar joncțiunile emițătorului pot fi fie deschise, fie închise. În acest caz, există trei combinații de intersecții ale statelor pn-, dacă toate tranzițiile sunt emițător vizibile, tranzistorul în modul de saturație există, iar curentul curge așa cum se arată în (. Figura 61 a) .Dacă aceasta este substanțial mai mică, și din moment ce curenții secvențial cu intrarea colectorului include o rezistență mai mare decât rezistența. Dacă tensiunea inversă din sursa de semnal de comandă este aplicată la joncțiunile emițătorului, tranzistorul funcționează în mod invers (fig.61, b). În acest caz, creșterile actuale și curentul total al tuturor emițătorilor în conformitate cu ecuațiile Ebers-Moll (2.4) vor fi:
Fig. 61. Combinații de stări de p-n-tranziții
Deoarece deschis tensiune joncțiune colector, atunci ecuația doilea termen (negativ) este considerabil mai mare decât primul (pozitiv), astfel încât în circuitele emitor va proceda curenti negativi relativ mari consumate de sursele de semnale de control. Pentru a reduce aceste curenți, este necesar să se reducă coeficientul invers de transmisie al tranzistorului, care se obține prin creșterea artificială a rezistenței bazei pasive. Pentru a face acest lucru, terminalul extern al bazei este conectat la regiunea activă a tranzistorului printr-un izmir îngust (vezi figura 60, a), care are o rezistență de 200-300 ohmi. Care trece prin curentul de bază istmul produce o cădere de tensiune pe ea, astfel încât tensiunea directă la joncțiunea colector va fi mai mare în regiunea de bază pasivă și mai mici în baza activă. Prin urmare, injectarea electronilor din rezervor în bază se va produce predominant în regiunea bazei pasive (vezi figura 60, b). În acest caz, lungimea căii traversate de electroni prin bază crește, rezultând astfel că coeficientul de transmisie inversă scade la 0,005-0,05.
Dacă unul dintre pasajele adiacente deschise și celălalt închis (fig. 61 c), efectul de impact al unei structuri parazite orizontale, cum ar fi n-p-n (vezi. Fig. 61 c) formate emițătoare adiacente și separarea lor p-regiune. Prin această structură, un curent curge de la sursa semnalelor de control conectate la tranziția închisă. Pentru a reduce efectul tranzistorului parazitar, este necesar să se mărească distanța dintre emițătorii vecini la 10-15 μm.
Articole similare
Trimiteți-le prietenilor: