Acasă | Despre noi | feedback-ul
Ca materie primă pentru fabricarea di-
Ele folosesc în principal germaniu și siliciu.
Caracteristicile volt-amper ale diodelor de germaniu și siliciu
același design sunt diferite. Figura 1 arată pentru comparație
caracteristicile diamurilor germanium (Ge) și siliciu (Si).
Deoarece lățimea interzisă
zona de siliciu este mai mare decât cea a ei-
mania, curent invers de siliciu
diode este mult mai mică. cu excepția
Mai mult decât atât, ramura inversă a caracteristicilor
diodele de siliciu nu au fost în mod clar
suprafața exprimată de saturație,
care se datorează generării de
lei de taxe în joncțiunea pn și curenți
scurgeri de pe suprafața cristalului.
Din cauza marii inverse
curent pentru diode germaniu este aproape
apare imediat o defalcare termică,
Figura 1 - caracteristica curentului de tensiune al diodelor redresoare
ceea ce duce la distrugerea
Stull. Pentru diodele de siliciu datorate
Un curent invers mic, probabilitatea unei defalcări termice este mică și au un a
de exemplu,
Curentul direct al unei diode de siliciu, egal cu curentul unei diode germaniu,
pentru o valoare mai mare a tensiunii directe. Prin urmare, puterea a disipat
la curenți identici, în diodele germaniu este mai mică decât în cele din siliciu. pe
De aceea, abrupta caracteristicilor curente de tensiune ale diodelor germaniene este mai mare decât cea a celor din siliciu.
Caracteristicile diodelor sunt afectate în mod semnificativ de temperatură
mediu. Cu o temperatură în creștere,
încărcătoare de sarcină și curenții inversi și direcți ai creșterii diodei.
Pentru o estimare aproximativă, putem presupune că, odată cu creșterea temperaturii,
tururi la 10 grade curentul inversat al diamurilor germaniu crește în 2, și
siliciu - de 2,5 ori. Totuși, datorită faptului că, la temperatura camerei,
Curentul invers al unei diode germaniu este mult mai mare decât cel al lui
siliciu, valoarea absolută a creșterii curentului invers în cazul germenilor-
Cu o creștere a temperaturii, dioda este de câteva ori mai mare decât
la siliciu. Acest lucru duce la o creștere a puterii diode-
încălzirea și reducerea tensiunii de rupere termică. Crema-
Datorită micului curent invers, probabilitatea de defectare termică
mici, și au mai întâi o defecțiune electrică.
Defalcarea diodelor de siliciu este determinată de procesele de avalanșă-
încărcătoare de sarcină în timpul ionizării atomilor de zăbrele de cristal.
Odată cu creșterea temperaturii, dispersia termică a mobilității crește.
încărcătoare și lungimea căii libere scade. pentru
că electronul pe o cale mai mică a dobândit suficientă energie pentru
ionizare, este necesar să se mărească câmpul de accelerare, care este atins atunci când
b # 972; scăderea tensiunii inverse. Aceasta explică creșterea numărului de defecțiuni
tensiune a diodelor de siliciu cu temperatură în creștere.
Mod de funcționare a diodelor
În circuitele practice, o sarcină este aplicată circuitului de diode,
Un exemplu este un rezistor (figura 2, a). O diodă cu sarcină se numește un mod de lucru
Mod. Dacă dioda a avut o rezistență liniară, atunci calculul curentului în
un astfel de sistem nu ar fi dificil, deoarece rezistența totală
Circuitul este egal cu suma rezistenței diodei la curentul direct R0 și rezistența
rezistenta de incarcare R n. Dar dioda are o rezistență neliniară și
Valoarea lui R 0 în el variază în funcție de variația curentului, deci calculul curentului face
grafic. Problema constă în următoarele: valorile lui E. R n și caracterul lui
dioda, este necesar să se determine curentul în circuit și tensiunea pe diodă.
Caracteristica diodă ar trebui considerată ca un grafic al unora
ecuația care conectează cantitățile i și u. și pentru rezistența R și altele similare
ecuația este legea lui Ohm:
Pentru a rezolva un astfel de sistem de ecuații este necesar să se construiască un grafic al celei de a doua ecuații
Găsiți coordonatele punctului de intersecție al celor două grafice. Graficul al doilea
Ecuația este o linie dreaptă, numită linia de încărcare. Cea mai ușoară cale este ea
este construit din două puncte pe axele de coordonate. Dacă i = 0 din ecuația (2) obținem:
u = E. Aceasta corespunde punctului A din figura 2, b. Pentru u = 0, i = E / Rn (punctul B).
Prin punctele A și B tragem o linie dreaptă, care este o linie de încărcare. Coor-
Punctele punctului T dau soluția problemei ridicate. Trebuie remarcat faptul că toate
Restul punctelor AB drepte nu corespund niciunei moduri de operare
diode. Puteți construi o linie de încărcare de unghiul pantei sale # 945; din moment ce
R n = k ctg # 945;. Dar acest lucru este mai puțin convenabil, deoarece este necesar să se determine coeficientul k de la
se scot volumul și găsiți unghiul peste cotangent.
Figura 2 - Calculul modului de funcționare al diodei
La construirea liniei de încărcare pentru un R relativ mic, punctul D este
în afara desenului. În acest caz, ar trebui amânată din punctul A
la stânga, o tensiune arbitrară U (figura 2, c) și de la punctul obținut B
amâna curentul egal cu U / R n (segmentul IG). O linie dreaptă trasată prin puncte
A și G, va fi linia de încărcare.
Trimiteți-le prietenilor: